在微電子半導(dǎo)體集成電路，薄膜混合集成電路， 片式元器件，特別是光盤、磁盤及液晶平面顯示器 LCD等技術(shù)領(lǐng)域 需使用各種性能各異，要求不同的濺射靶材，例如各種光碟、液晶顯示器LCD及LSI等的產(chǎn)品數(shù)量已十分巨大，僅以我國臺灣為例， 其CD -R 在1999年就生產(chǎn)約17.7億片，2000年的產(chǎn)量將達(dá)到47億片，CD-RW片2000年將達(dá)到18 億片，DV用碟片2000年也將超過1億片，TFT-LCD的產(chǎn)值20 00 年預(yù)計(jì)將達(dá)到900億臺幣。 在這些電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，均須采用多種濺射技術(shù)，濺射單層或多層各種不同材質(zhì)的金屬、半導(dǎo)體或非金屬薄膜，以達(dá)到產(chǎn)品的功能要求 本文對靶材的制備工藝特性及其在資訊產(chǎn)業(yè)方面的應(yīng)用作一簡要介紹，供廣大學(xué)習(xí)交流。
靶材的種類與應(yīng)用
靶材的種類按其組成可分為純金屬、合金和化合物靶材三大類。表1 示出了靶材材質(zhì)的種類，這些不同性質(zhì)的靶材在各種產(chǎn)業(yè)上的應(yīng)用情況，歸結(jié)起來如表2所示。
表1 靶材種類
| 分類 | 組成 |
| 純金屬 | Al, Au, Cr , Co, Ni, Cu, Mo, Ti, Ta…… |
| 合金 | Ni-Cr , Co-Ni, Co-Cr , Tb -Fe-Co, Gd-Fe-Co, M o-W , Cr -Si·-- |
| 化合物 | 氧化物，硅化物， 碳化物，硫化物… |
表2 濺射靶材在各種產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
| 領(lǐng)域 | 使用靶材 |
| 微電子 | 鋁合金
(4N - 6N) | A I, A I- Si, A I-C u, A I- T i, A I- Si-C u, A !-S i-Pd, A 1- S i- T i, |
| 硅化物(5N ) | M o-S i,W -S i, Ti-Si, |
| 金(SN ) | A u, A u , A u- Sn, A u -Ge |
| 鎳(4N ) | Ni Ni-Cr |
| 高熔點(diǎn)金屬
(3N -6N) | M o-W , T i-W |
| 硅 | 加p 硅，加N 硅 |
| 銘(3N) | C r, C r-S i |
| 鉅 (3N - ('N ) | Ta |
| 銅(4N-('N ) | C u |
| 鈦(4N -5N ) | Ti |
| 磁記錄 | 鉆(3N ) | Co-N t, Co-N 1-C r, Co-C r-T a, Co-C 廣
P t, Co-C r |
| 鎳 | Ni-Fe |
| 鐵合金 | Fe-Co Fe-,S -A I Fe-Ga-St |
| 鉻(3N -4N ) | Cr |
| 光碟 | 啼 硒(4N ) | T e, Se, T b- Fe-Co, Dy -T b- Fe-Cb,
N d-D y- Fb-Co, Gd-T b-Fe -Co, D y- Fe- Co |
| 稀土－遷移
金屬(3N ) | T b-Fe, T b-Fe-Co, D y-T b-Fe -Co, Dy-
Fe-Co, N ct-D y-Fb-Co Gd-T b-Fe-Co,
D v-Fe七o |
| 貴金屬 | 金銀
(4N -5N ) | A u, Ag |
| 白金靶
(4N) | Pt , Pd |
| 簿膜電阻 | 鎳合金(3N ) | N 1-C r, N 1-C r-S t, N 1-C r-A l, N i-C u |
| 鉭(3N -(N ) | T a, T a-A I |
| 鉻 (3N ) | C r-S t |
| 導(dǎo)電膜 | 銦(4N) | In -Sn , InO 2- SnO 2 |
| 表而改性 | 鈦、鋯(3N) | T i, Ti-A l, Zr, C r, V , Hf |
| 光罩層 | (3N) | Cr, Ta |
| 裝飾層 | (2N) | N i-T i-A I, Ti-A I-V , C r-M o-N i, Zr, Cr |
| EL 電極 | (4N) | ZnS |
| LCD 電極 | (3N - 4N ) | Ta |
| 其它 | 氧化物
(3N) | Y-Ba-Cu -0 , B i-S r-Ca -Cu -0 , T i-Ba -
Ca-C u-0 ,…… |
| 石英(5N ) | SD 2 |
| 硅 | S1- Y-A I-O -N , SixO v |
| 鈦鋯 | T N , T aN |
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